本網武漢11月23日電（方政軍 喬進 陳婉蘭）日前，國家自然科學基金委工程與材料科學部組織專家，在武漢對該校劉勝教授主持的國家重大科研儀器研制項目（部門推薦）“薄膜生長缺陷跨時空尺度原位/實時監測與調控實驗裝置”進行了結題驗收。項目驗收技術組、財務組專家，監理組專家，國家自然科學基金委黨組成員、副主任陸建華院士，工程與材料科學部常務副主任王岐東，湖北省科技廳副廳長杜耘，校長張平文院士、副校長唐其柱等出席，王岐東主持結題驗收會議。

陸建華線上致辭。他指出，高端芯片制造是我國科技高速發展的瓶頸，而薄膜生長則是高端芯片制造及集成電路領域的基礎。儀器研究項目需要突出研究原創性和科學價值，解決科學問題，幫助科學家解決基礎科學問題。希望項目組專家在驗收過程中，嚴格對照項目立項時的各項指進行標逐一核對，同時幫助自然基金委一起探索儀器項目建設的新辦法新機制。他強調，項目結題不代表項目結束，而是新的起點，希望項目負責人及研發人員始終堅持永遠在一線、永遠在狀態、永遠在學習，牢記重大儀器項目的科學使命，搶占國際科學發展的制高點。

王岐東指出，該項目十分前沿、技術攻關難度較高。他充分肯定了項目依托單位及合作單位從立項、實施、再到結題驗收過程中所作的努力和階段性貢獻，希望專家組專家實事求是，以高度負責的態度，從技術、檔案、財務各方面按照項目驗收指標逐一核對驗收，并提出建議性意見和建議。

張平文代表項目建設單位致辭。他指出，該項目是武漢大學乃至華中地區高校首次獲得的國家重大科研儀器研制項目，武漢大學倍感責任重大，使命光榮。他充分肯定了劉勝教授及其科研團隊在項目執行過程中付出的艱辛努力和取得的成果，介紹了武漢大學從經費、場地、人才引進、研究生培養及項目落地推廣等方面提供的支持，并表示將一如既往支持項目的后續攻關和落地轉化。

項目負責人、剛剛增選的中國科學院院士劉勝教授從立項背景、設備研制進展情況、關鍵模塊研究進展等方面匯報了項目總體研究成果。項目驗收專家組認真審閱了結題驗收材料，聽取了項目組關于儀器研制的進展和成果總結、項目監理組的監理情況匯報以及現場技術測試、財務驗收和檔案審核情況匯報，并對儀器設備進行了現場考察。經充分討論和質詢，專家組認為，項目組按照項目任務書完成了相關研究工作，項目任務書所列的儀器各項技術指標均已實現，其中部分關鍵技術指標優于預期目標，項目經費支出標準合規，組織管理規范，一致同意項目通過結題驗收，結果評價為A。

據悉，國家重大科研儀器研制項目（部門推薦）“薄膜生長缺陷跨時空尺度原位/實時監測與調控實驗裝置”于2017年獲批立項，歷時5年多協同開展關鍵技術攻關。該裝置的成功研制，推動了我國寬禁帶半導體材料異質異構集成等領域核心技術的發展，為實現高端半導體裝備與材料自主化制造奠定了堅實的基礎，在我國半導體領域“卡脖子”關鍵技術方面取得了原創性突破。

 編輯：曉穎